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              <menuitem id="b15dx"></menuitem>

                  解決方案

                  半導體分立器件IV、CV特性測試方案

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                  概述

                        半導體分立器件是組成集成電路的基礎,包含大量的雙端口或三端口器件,如二極管,晶體管,場效應管等。直流I-V測試是表征微電子器件工藝及材料特性的基礎,通常使用I-V特性分析或I-V曲線來決定器件的基本參數。

                        分立器件I-V特性測試的主要目的是通過實驗幫助工程師提取半導體器件的基本I-V特性參數,并在整個工藝流程結束后評估器件的優劣。在半導體制程的多個階段都有應用,如金屬互連,鍍層階段,芯片封裝后的測試等。

                        英鉑科學儀器的半導體分立器件I-V特性測試方案,由一臺或兩臺源精密源測量單元(SMU)、夾具或探針臺、上位機軟件構成。以三端口MOSFET器件為例,配套以下設備:

                  •兩臺Keithley 2450 精密源測量單元

                  •四根三同軸電纜

                  •夾具或帶有三同軸接口的探針臺

                  •三同軸T型頭

                  方案特點

                  豐富的內置元器件庫,可以根據測試要求選擇所需要的待測件類型測試和計算過程由軟件自動執行,能夠顯示數據和曲線, 節省了大量的時間精準穩定的探針臺,針座分辨率可高達0.7um,顯微鏡放大倍數最高可達x195倍最高支持同時操作兩臺吉時利源表,可以完成三端口器件測試。

                  測試材料

                  二極管特性的測量與分析

                  雙極型晶體管BJT特性的測量與分析

                  MOSFET場效應晶體管特性的測量與分析

                  MOS 器件的參數提取

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